MOSFET$506086$ - translation to spanish
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MOSFET$506086$ - translation to spanish

TRANSISTOR MOSFET OXIDO DE SILICIO QUE CUMPLE VARIAS FUNCIONES
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor; Transistor mos; MOSFET; Escala MOSFET
  • Estructura Metal-óxido-semiconductor construida con un sustrato de silicio tipo p
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  • Corriente de drenador vs. tensión drenador-surtidor para distintos valores de <math>V_{GS}-V_{th}</math>; el límite entre la región ''lineal'' (''óhhmica'') y la región de ''saturación'' (''activa'') se indica por la parábola en rojo.
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  • Tendencia de la longitud del canal y el ancho de puerta en transistores MOSFET fabricados por Intel, a partir de la tecnología de 130 nm.
  • Las dimensiones características de un transistor MOSFET son la longitud de canal (L) y el ancho de la puerta (W).
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  • Fotomicrografía de dos MOSFETs con puerta de metal en un arreglo de prueba. Los pads para las dos puertas (G) y los tres nodos de fuente (S) y drenador (D) están indicados.
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  • ''Formación del canal en un MOSFET NMOS'': Superior: Una tensión de puerta dobla las bandas de energía, y se agotan los huecos de la superficie cercana a la puerta (izquierda). La carga que induce el doblamiento de bandas se equilibra con una capa de cargas negativas de iones aceptores (derecha). Inferior: Una tensión todavía mayor aplicada en la puerta agota los huecos, y la banda de conducción disminuye de forma que se logra la conducción a través del canal.

MOSFET      
transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico, transistor de efecto de campo en el cual la entrada está separada del canal conductor por un material aislante (Electrónica)

Definition

MOSFET
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (Reference: IC, FET)

Wikipedia

Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S), drenador (D), puerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado internamente al terminal de fuente y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.

El término 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el aluminio que fue el material de la puerta hasta mediados de 1970 fue sustituido por el silicio policristalino debido a su capacidad de formar puertas auto-alineadas. Las puertas metálicas están volviendo a ganar popularidad, dada la dificultad de incrementar la velocidad de operación de los transistores sin utilizar componentes metálicos en la puerta. De manera similar, el 'óxido' utilizado como aislante en la puerta también se ha reemplazado por otros materiales con el propósito de obtener canales fuertes con la aplicación de tensiones más pequeñas.

Un transistor de efecto de campo de puerta aislada o IGFET (insulated-gate field-effect transistor) es un término relacionado que es equivalente a un MOSFET. El término IGFET es más inclusivo, ya que muchos transistores MOSFET utilizan una puerta que no es metálica, y un aislante de puerta que no es un óxido. Otro dispositivo relacionado es el MISFET, que es un transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor (metal-insulator-semiconductor field-effect transistor).